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반도체용 실리콘 파츠는 주로 Etching 공정의 Chamber 내 소모성 부품으로 사용되며,
최근 들어 고성능/고미세패터닝 공정으로 갈수록 실리콘 파츠의 사용
비중이 증가하는 추세입니다.
실리콘 파츠는 높은 내열성과 내플라즈마성을 가지며 금속 재질보다 공정 오염이 적기 때문에 플라즈마 및 화학 반응으로부터 장비 내부를 보호하고, 오염 방지의 역할을 갖습니다.
자회사 셀릭에서 생산한 Si 잉곳을 안정적으로 공급받아
각종 Si 파츠를 한국 뿐만 아니라 세계 각국으로 납품하여
보다 더 넓은 글로벌시장으로 넓혀가고 있습니다.
| 단결정 실리콘 | 다결정 실리콘 | |
|---|---|---|
| 결정 구조 | 단일 결정 | 다결정 |
| 밀도 | 약 2.329 g/cm³ | 약 2.32~2.33 g/cm³ |
| 열전도도 | 약 149 W/m·K | 약 80~120 W/m·K |
| 밴드갭 | 약 1.12 eV (300K) | 약 1.12 eV (동일하나 결정 결함 많음) |
| 비열 | 약 700 J/kg·K | 약 700 J/kg·K |
| 열팽창계수 | 2.6 × 10⁻⁶ /K | 약 2.5~2.7 × 10⁻⁶ /K |
| 전기 저항률 | 10⁴~10⁶ Ω·cm | 10⁴~10⁶ Ω·cm |
| 기계적 강도 | 약 7000 MPa (인장강도는 방향에 따라 다름) | 평균적으로 낮음 (200 ~ 400 MPa) |
단결정과 다결정 실리콘 모두 자체 생산함으로써, 고객 맞춤형 대응은 물론
품질·납기·기술 지원까지 통합된 원스톱 솔루션을 제공합니다.
| 주요 설비 | 관리 목적 |
|---|---|
| Silicon C-Shroud Ring Silicon Outer Ring |
챔버 내 Wafer Edge를 보호하여 Wafer 수율 향상에 기여합니다. 아울러 챔버 내 가스 분포와 플라즈마 영역을 안정화시키며 파티클의 차단 및 감소의 역할을 하는 파츠입니다. |
| Silicon Electrode | 장비 내 플라즈마 발생과 Wafer의 지지 역할을 하며 동시에 균일한 플라즈마 분포를 유도하는 파츠입니다. |
| Silicon Curved Electrode | 일반적인 평면 전극과 달리, 곡면(Convex or Concave)구조를 갖고 있어 전기장 분포나 플라즈마 밀도 제어에 특화된 파츠입니다. |